制备了SiC短纤维增强原位合成的SiC-BN复合陶瓷(SiCsf/SiC-BN),对其氧化动力学进行了分析计算,并对不同成分的SiCsf/SiC-BN复合陶瓷在800～1200℃的氧化过程进行了研究.研究表明, Si3N4,B4C和C可以原位合成复合陶瓷的基体.复合陶瓷在高温发生氧化时,SiC和BN氧化产物主要为SiO2和B2O3,这两者互融形成的薄膜可以有效减缓复合陶瓷的氧化.
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