研究了铜基ODS的组织与性能.结果表明,采用内氧化方法生产的铜基ODS 20,在纯铜基体上原位生成弥散、10nm左右的γ-Al2O3微粒.该材料导电率约90%IACS,比纯铜导电率约降低10%.加工状态的室温强度可达到610MPa,在1173K保温1.5h,硬度达到室温硬度的86%,表明软化温度高于1173 K.经1273K+1.5h退火,晶粒平均直径小于1μm,Al2O3微粒不发生熔解、聚集、长大等现象.
参考文献
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