SiO2掺杂99BeO陶瓷的微观结构与性能

材料开发与应用, 2007, 22(6): 17-19. doi: 10.3969/j.issn.1003-1545.2007.06.005

SiO2掺杂99BeO陶瓷的微观结构与性能

唐海燕 ^1, , 钟朝位 ^2, , 张树人 ^3, , 李志刚 ^4, , 薛超 ^5, , 王海蓉 ^6, , 田立宏 ^7, , 储齐晓 ^8,

1.电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054

6.国营799厂,四川,宜宾,644001

7.国营799厂,四川,宜宾,644001

8.国营799厂,四川,宜宾,644001

关键词：高导热 , SiO2掺杂 , 99BeO陶瓷

Microstructure and Properties of SiO2-doped High Pure Beryllium Oxide Ceramics

采用固相法制备99BeO陶瓷样品,系统研究了SiO2掺杂对99BeO高导热陶瓷微观结构及性能的影响.研究发现,随着SiO2含量的增加,99BeO陶瓷的抗折强度、密度、导热率以及电学性能均呈较明显的单峰分布.当SiO2掺杂量为0.8%(ω)时,可获得性能优良、结构致密的高导热陶瓷,其抗折强度为248 MPa,密度为2.957 g/cm3,导热率为303 W/(m·K).

参考文献

[1]	高陇桥.高热导率陶瓷材料的进展[J].真空电子技术,2003(02):49-53.
[2]	赵世柯,尹文学,赵建东,康金生,肖东梅.氧化铍陶瓷材料的性能及应用[J].真空电子技术,2004(04):24-27.
[3]	王永跃.铍在高科技中的应用与发展[J].稀有金属材料与工程,1995(06):29-31.
[4]	高陇桥.大功率真空电子器件实用的高热导率陶瓷的进展[J].真空电子技术,1999(02):27.
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[6]	奚同庚.无机材料热物性学[M].上海:上海科学技术出版社,1981:97.
[7]	Bautin KV.;Ogorodnikov IN.;Kruzhalov AV.;Yakovlev VY.;Kudyakov SV. .Exciton dynamics and energy transfer in beryllium oxide crystals with defects[J].Journal of Luminescence: An Interdisciplinary Journal of Research on Excited State Processes in Condensed Matter,1998(0):467-469.

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