以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30～70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5～10μm左右的超高密度ITO靶材.
参考文献
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