利用直流磁控溅射法在树脂基复合材料基底上制备了ITO低红外发射率薄膜.选择了低发射率树脂作为基底复合材料的基体树脂.通过对材料表面进行表征、测试材料表面电阻率及红外发射率,研究了材料的红外隐身性能.结果表明,材料的红外发射率随ITO膜表面电阻率的增加先增加,后趋于一定值.
参考文献
[1] | 林揆训;林璇英 .用动态变化电子束蒸发工艺制备优质的ITO透明导电膜[J].功能材料,1993,24(05):407-410. |
[2] | Fukarek W;Kersten H .Application of dynamic in situ ellipsometry to the deposition of tin-doped indium oxide films by reactive direct-current magnetron spurttering[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1994,A12(02):523-528. |
[3] | 徐文兰,沈学础.隐身技术和物理[J].物理,1995(05):291. |
[4] | 王自荣.ITO涂料在8~14μm波段红外发射率的研究[J].红外技术,1999(01):41. |
[5] | Szczyrbowski J;Braner G;Ruske M et al.New low emissivity coating based on twin-mag sputtered TiO2 and Si3N4 layers[J].Thin Solid Films,1999,351:254. |
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