以乙酰丙酮铂为沉积源物质,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在Mo基体上制备了Pt薄膜.研究了Pt薄膜的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铂的加热温度和运载气体(氩气)流速等沉积参数的关系.Pt的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈现抛物线关系,当温度为550℃时,Pt的沉积速率达到最大值;随着乙酰丙酮铂加热温度的升高,Pt的沉积速率直线增加;而氩气流速的增大则显著减少Pt的沉积速率.SEM波谱成分分析表明,Pt薄膜中含有少量的氧.
参考文献
| [1] | Kaesz H D;Williams R S;Hicks R F.Chemical perspectives of microelectronic materials[A].Mat.Res.Soc.Pittsburgy,1989:395. |
| [2] | GotoT;Vargas R;Hirai T .Preparation of iridium and platinum films by MOCVD and their properties[J].Journal de Physique,1993,3:297. |
| [3] | Vargas R;Goto T;Zhang W et al.Epitaxial growth of iridium and platinum films on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition[J].Applied Physics Letters,1994,65(09):1094. |
| [4] | Kwak B S;First P N;Erbil A .Study of epitaxial platinum thin films grown by metalorganic chemical vapor depositon[J].Journal of Applied Physics,1992,72(08):3735. |
| [5] | 胡昌义;李靖华;王云;万吉高;钱旭;高逸群;邓德国;尹志民.Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究[A].北京:《有色金属》编辑部,2002 |
| [6] | 孟广耀.化学气相淀积与无机新材料[M].北京:科学出版社,1984:82. |
| [7] | 孟广耀.化学气相淀积与无机新材料[M].北京:科学出版社,1984:84. |
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