以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,固定浆料配比及制备工艺,通过改变浆料烧成工艺制度,结合扫描电子显微镜( SEM)、差热分析(DSC)等分析手段,系统研究了烧成峰值温度和保温时间对最终烧成厚膜导体性能的影响.结果表明,随着烧成峰值温度升高,保温时间延长,导体膜层方阻先减小,后增大；可焊性、耐焊性也具有先变好后变差的趋势.推荐较好的烧成工艺制度为:烧成峰值温度为850℃,保温20 min.
参考文献
| [1] | 李言荣;恽正中.电子材料导论[M].北京:清华大学出版社,2001 |
| [2] | 赵德强,马立斌,杨君,张春雷.银粉及电子浆料产品的现状及趋势[J].电子元件与材料,2005(06):54-56. |
| [3] | 丁鹏;马以武 .毛细作用钌基厚膜应变电阻烧结过程中的作用和影响[J].传感器世界,2004,27(01):66-68. |
| [4] | 江成军,张振忠,赵芳霞,段志伟,王超.浆料成分对银导体浆料性能的影响[J].特种铸造及有色合金,2008(10):804-806. |
| [5] | GB/T 17473.5-2008.GB/T 17473.5-2008.厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法粘度测定[S].北京:中国标准出版社,2008. |
| [6] | GB/T 17473.5-2008.GB/T 17473.5-2008.微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定[S].北京:中国标准出版社,2008. |
| [7] | GB/T 17473.5-2008.GB/T 17473.5-2008.微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定测定[S].北京:中国标准出版社,2008. |
| [8] | Sunit Rane;Vijaya Puri;Dinesh Amalnerkar .A study on sintering and microstructure development of fritless silver thick film conductors[J].Journal of Materials Science. Materials in Electronics,2000(9):667-674. |
| [9] | MOHAMED M.HILALI;SRINIVASAN SRIDHARAN;CHANDRA KHADILKAR .Effect of Glass Frit Chemistry on the Physical and Electrical Properties of Thick-Film Ag Contacts for Silicon Solar Cells[J].Journal of Electronic Materials,2006(11):2041-2047. |
| [10] | 甘卫平,周华,张金玲.无铅银浆烧结工艺与导电性能研究[J].电子元件与材料,2010(04):65-69. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%