研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化22.5h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa.研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因.
参考文献
[1] | 黄清伟,高积强,金志浩.反应烧结碳化硅材料研究进展[J].兵器材料科学与工程,1999(01):49. |
[2] | Tominson W J;Khela S .[J].Journal of Maner Sci,1992,27:3372. |
[3] | Forthmann;Naoumidis A .[J].Materials Science and Engineering,1989,A121:457. |
[4] | Lim C B;Yano T;Iseki T .[J].Journal of Materials Science,1989,24:4144. |
[5] | Lim C B;Iseki T .[J].Journal of Materials Science,1988,23:3248. |
[6] | Persson J;Kall P O;Nygren M .[J].Journal of the American Ceramic Society,1992,75:3377. |
[7] | Linus U J T Ogbuji .[J].Journal of the Electrochemical Society,1995,3(03):925. |
[8] | Trigg M B;Jack K H .[J].Journal of Materials Science,1988,23:481. |
[9] | Ohashi M;Kanazaki S;Tabata H .[J].Journal of Materials Science,1991,26:2608. |
[10] | Jacobson N S .[J].Journal of the American Ceramic Society,1993,76(01):3. |
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