为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层,针对CVD工艺特点,采用正交设计方法对MTS+H2体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上,计算了6种工艺因素对SiC-CVD过程影响的方差,对各自影响的显著性进行了分析,并讨论了所属的21种工艺条件对沉积结果的影响.
参考文献
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