工艺参数对磁控溅射磷化镓(GaP)薄膜沉积速率的影响

1.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

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基金项目: 国防科技应用基础研究基金(J1500E002) 航空基础科学基金(98G53104)

Effect of technical parameters on deposition rate of GaP films depositted by magnetron sputtering

采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.

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