为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程.
参考文献
[1] | C. Ravi;C. Wolverton .First-principles study of crystal structure and stability of Al-Mg-Si-(Cu) precipitates[J].Acta materialia,2004(14):4213-4227. |
[2] | C. D. MARIOARA;S. J. ANDERSEN;J. JANSEN .ATOMIC MODEL FOR GP-ZONES IN A 6082 Al-Mg-Si SYSTEM[J].Acta materialia,2001(2):321-328. |
[3] | Matsuda K;Gamada H;Fujii K et al.High-resolution electron microscopy on the structure of GP zones in an Al-1.6% Mg2Si alloy[J].Metallurgical and Materials Transactions,1998,29A:1161-1167. |
[4] | 张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林科学技术出版社,1993:234-240. |
[5] | 刘志林.合金价电子结构与成分设计[M].长春:吉林科学技术出版社,2002:32-33. |
[6] | 刘志林;李志林;刘伟东.界面电子结构与界面性能[M].北京:科学出版社,2002:39-41. |
[7] | 王庆松,秦海青,王娜,高英俊.Al-Mg-Si合金滑移面结合及位错运动机制[J].重庆工学院学报,2006(02):52-56. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%