掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

材料科学与工艺, 2000, 8(2): 86-88. doi: 10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

葛水兵 ^1, , 程珊华 ^2, , 宁兆元 ^3, , 沈明荣 ^4,

1.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

2.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

3.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

4.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

关键词：脉冲激光沉积 , ZnO膜 , 掺杂比 , 氧分压

Investigation into characteristics and preparation of ZnO :Al thin film

利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.

参考文献

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