富碳纳米SiC粉末的氧化除碳

材料科学与工艺, 2000, 8(4): 63-65. doi: 10.3969/j.issn.1005-0299.2000.04.015

富碳纳米SiC粉末的氧化除碳

谢华清 ^1, , 王锦昌 ^2, , 奚同庚 ^3, , 刘岩 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

关键词：纳米碳化硅粉末 , 氧化除碳 , 分散

Thermal stability of nano-SiC powder containing excessive free carbon

研究了富碳纳米碳化硅粉体的氧化除碳.物理化学分析结果表明，碳化硅样品是立方晶相，平均粒径约为30 nm，颗粒呈球形.TG、DTA及TEM结果显示，在空气环境中，样品经650 ℃处理30 min后，游离碳已去除干净，处理前后碳化硅颗粒无明显长大.

参考文献

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