为了解决化学气相沉积金刚石膜产业化进程中存在的生长速率慢、沉积尺寸小的难题,自行研制了适宜于大尺寸金刚石膜高速生长的电子辅助热灯丝式化学气相沉积(EAHFCVD)装置,通过反应气体中加氧将碳源浓度提高到10%以上,并优化反应压力与直流偏流密度二参数间的匹配,研究了该装置的生产特性,同时利用SEM、XRD和Raman光谱对沉积的金刚石膜进行了分析表征.研究结果表明,应用该装置高质量金刚石膜的沉积尺寸可达100 mm以上,生长速率达到约10 μm/h的水平,并制备出100 mm×1.5 mm的完整金刚石自支撑膜片,该技术可满足产业化生产的要求.
参考文献
[1] | SUSSMAN R S;BRANDON J R.CVD diamond:a new engineering material for thermal dielectric and optical application[J].Industrial Diamond Review,1998(03):69-77. |
[2] | 陈金身;温绍国;韩秀丽 .化学气相沉积金刚石薄膜的性能和应用[J].金刚石与磨料磨具工程,1998,108(06):13-15. |
[3] | Buttar C M;AIREY R;CONWAY J.A study of radiotherapy dosimeters based on diamond grown by chemical vapor deposition[J].Diamond and Related Materials,2000(09):965-969. |
[4] | 李文铸;陈本敬;王秀琼.关于化学气相沉积(CVD)金刚石膜及其产品的技术进展[J].超硬材料工程,1998(04):1-5. |
[5] | TRAVA-Airoldi;VLADIMIR J .Today and the future of chemical vapor deposited diamond films[J].Key Engineering Materials,1998,138-140:195-244. |
[6] | MARINELL M;MILANI E;PAOLETTI A.Growth of detector grade CVD diamond films[J].Diamond and Related Materials,2001(10):1783-1787. |
[7] | 顾长志.电子增强化学气相沉积法制备金刚石膜[J].高压物理学报,1994(03):220. |
[8] | 王季陶;张卫;刘志杰.金刚石低压气相生长的热力学耦合模型[M].北京:中国科学技术出版社,1998 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%