欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

为在价电子结构层次研究代位固溶体与间隙固溶体强化差异的本质,建立了代位固溶体含溶质晶胞点阵常数的计算公式,以余(瑞璜)氏固体与分子经验电子理论为基础,按BLD(键距差分析方法)分析方法计算了代位固溶体含溶质晶胞的价电子结构.结果表明:代位固溶体中含溶质原子晶胞的nA值与不含溶质原子晶胞的nA值相差无几,而间隙固溶体中含溶质原子晶胞的nA值远高于不含溶质原子晶胞的nA值.这-信息从价电子结构的角度深刻揭示了两种固溶体强化程度存有严重差异的本质,从而把固溶体强化的机制追溯到固溶体的价电子结构.

参考文献

[1] 胡赓祥;钱苗根.金属学[M].上海:上海科学技术出版社,1980
[2] 胡德林.金属学原理[M].西安:西北工业大学出版社,1984
[3] 余瑞璜 .固体与分子经验电子理论[J].科学通报,1978,23(04):217.
[4] 张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林科学技术出版社,1993
[5] 孙振国;刘志林;李志林 .论奥氏体和马氏体中的Fe原子杂化状态的确定[J].中国科学E辑,1997,27(01):18.
[6] LIU Zhilin .C-Mesegreating theory in solid alloys[J].Chinese Science Bulletin,1989,34(23):2011.
[7] Applicatin of Yu's theory and Cheng's theory to alloy research[J].自然科学进展(英文版),1998(02):134.
[8] 李志林;刘志林;孙振国 .合金相结构因子和界面结合因子的计算方法及其在合金设计中的应用[J].金属学报,1999,35(07):673.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%