对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
参考文献
| [1] | 傅竹西,林碧霞,郭常新,廖桂红.氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性[J].半导体学报,1999(09):827. |
| [2] | MUTH J F;KOLBAS R M;SHARMA A K et al.Excitonic structure and absorption coefficient measurements of ZnO single crystal epitaxial films deposited by pulsed laser deposition[J].Journal of Applied Physics,1999,85(11):7885-7887. |
| [3] | 贺洪波;范正修;姚振钰 .多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构[J].功能材料与器件学报,1999,5(01):66. |
| [4] | 李庚伟,吴正龙,邵素珍,张建辉,刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J].材料导报,2005(02):109-111. |
| [5] | 王建祺;吴文辉;冯大明.电子能谱学引论[M].北京:国防工业出版社,1992 |
| [6] | 李庚伟,吴正龙,杨锡震,杨少延,张建辉,刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001(02):174-179. |
| [7] | 梁春广,张冀.GaN--第三代半导体的曙光[J].半导体学报,1999(02):89-99. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%