CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

航空材料学报, 2004, 24(4): 22-26. doi: 10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.006

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

刘荣军 ^1, , 张长瑞 ^2, , 刘晓阳 ^3, , 周新贵 ^4, , 曹英斌 ^5,

1.国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

2.国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

3.国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

4.国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

5.国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

基金项目: 国防预研基金(41312011002)

关键词：沉积温度 , CVD , SiC , 沉积速率 , 结构

The effects of deposition temperature on the depositon rates and structures of CVD SiC coatings

以CH3SiCl3-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVD SiC涂层的组织结构.结果表明,随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程, 1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔; 随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β-SiC外还出现了少量α-SiC.

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