欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

基于MEMS微细加工工艺,利用磁控溅射方法在Si基片上制备了不同Cu层宽度弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1~40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的应力阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的应力阻抗(SJ)效应随Cu层宽度的变化有明显的变化,在频率5MHz、基片自由端在y轴方向偏移的距离h为1500μm时,当Cu层宽度为0.4mm时,应力阻抗效应达-25%左右.

参考文献

[1] Mohri K.;Kohsawa T. .Magneto-inductive effect (MI effect) in amorphous wires[J].IEEE Transactions on Magnetics,1992(5):3150-3152.
[2] Stock B J .[J].Surface Science,1975,47:501-513.
[3] Su C Y;Spicer W E;Lindau T .[J].Journal of Applied Physics,1983,54(03):1413-1422.
[4] Phillips C;Hughes A E;Sibbett W .[J].Journal of Physics D:Applied Physics,1984,17:1713-1725.
[5] Rodway D C;Allenson M B .[J].Journal of Physics D:Applied Physics,1986,19:1353-1371.
[6] 禹金强,周勇,蔡炳初.软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型[J].真空科学与技术学报,2000(01):22-25.
[7] Sommer R L .Chien C L[J].Applied Physics Letters,1995,67:3346.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%