通过常规存放与干燥处理条件的实验,验证了SiO:基复合材料极易吸潮的特性.采用矩形波导终端短路法获得去离子水在9-12 GHz室温和50℃的介电性能.结果表明,平均介电常数变化在测试误差范围内,因水中存在电离的H+、OH-和H3O+等离子,导致50℃的介电损耗相比室温较明显增大,该结果与佛罗里达大学用同轴终端开路法所获结果基本吻合.采用高Q腔法和矩形波导终端短路法互为补充的实验方案,获得了SiO2基复合材料在常规和湿热老化下吸水率与介电性能的关系:当吸水率达到1%时,介电常数增大了约10%,介电损耗增大了两个量级;当吸水率达到8%时,介电常数增大了一倍多,介电损耗增大了三个量级.
参考文献
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