无压浸渗法制备SiCp/Al电子封装基板及其性能

宇航材料工艺 , 2011, 41(3): 46-49. doi: 10.3969/j.issn.1007-2330.2011.03.012

无压浸渗法制备SiCp/Al电子封装基板及其性能

黄俊 ^1, , 王晓刚 ^2, , 朱明 ^3, , 王明静 ^4, , 任怀艳 ^5,

1.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

2.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

3.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

4.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

5.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

基金项目: 陕西省13115重大创新科技项目(2007ZKC-03-04)

关键词： SiCp/Al , 电子封装 , 无压浸渗

Properties of SiCp/Al Electronic Packaging Substrates Fabricated by Pressureless Infiltrating

采用无压浸渗法制备出电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料基板,研究了主要合金元素对浸渗过程的影响和SiC体积分数对复合材料热物理性能的影响.结果表明:合金中Mg元素能促进界面润湿,Si元素能减小有害界面反应的发生;随着SiC体积分数的增加,复合材料的热导率和线胀系数都呈下降趋势,当SiC体积分数为65%左右,热导率下降幅度减缓;当SiC体积分数为68%左右时,线胀系数显著降低.

参考文献

[1]	Lee H S;Hong S H .Pressure infiltration casting process and thermophysical properties of high volume fraction SiCp/Al metal matrix composites[J].Materials Science and Technology,2003,19:1057.
[2]	Carl Zweben.Advanced composites and other advanced materials for electronic packaging thermal management[A].,2001:360-365.
[3]	钟鼓,吴树森,万里.高SiCp或高Si含量电子封装材料研究进展[J].材料导报,2008(02):13-17.
[4]	J. M. Molina;R. A. Saravanan;R. Arpon .Pressure infiltration of liquid aluminium into packed SiC particulate with a bimodal size distribution[J].Acta materialia,2002(2):247-257.
[5]	崔岩.碳化硅颗粒增强铝基复合材料的航空航天应用[J].材料工程,2002(06):3-6.
[6]	王晓刚.碳化硅合成理论与技术[M].西安:陕西科学技术出版社,2001:8.
[7]	陶杰;赵玉涛;潘蕾.金属基复合材料制备新技术导论[M].北京:化学工业出版社,2007:226.

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