低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能

液晶与显示 , 1999, 14(1): 23-28. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.005

低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能

王刚 ^1, , 刘宏宇 ^2, , 赵超 ^3, , 杨柏梁 ^4, , 黄锡珉 ^5,

1.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

2.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

3.吉林大学电子工程系,长春,130021

4.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

5.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

关键词：直流磁控溅射 , 衬底温度 , 溅射功率 , 方块电阻 , 透过率 , 真空退火

Preparation and Characterization of Low Resistance and High Transmittance ITO Films

研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的 ITO 薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150～200Ω/□之间, 并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容.

参考文献

[1]	Frank G, Kostlin H, Appl. Phys., 1982, A 27, 197
[2]	Hamberg I, Granqvist C G, J.Appl.Phys., 1986, 60, R123
[3]	Nagatomo T, Maruta Y, Omoto O, Thin Solid Films, 1990, 192, 17
[4]	Weijtens C H L, Van Loon P A C, Thin Solid Films, 1991, 196, 1
[5]	Mayer B, Thin Solid Films, 1992, 221, 166
[6]	Maruyama T, Kitamura T,Jpn.J.Appl.Phys.,1989, 28, L1096
[7]	Cui Y Ri, Xu X H, Thin Solid Films, 1984, 115, 195
[8]	Meng L Jg, dos Santos M P, Thin Solid Films, 1996, 289, 65
[9]	Davis L, Thin Solid Films, 1993, 236, 1
[10]	Lee S B, Pincenti J C, Cocco A, ed al., J.Vac.Sci.Technol. A, 1993, 11, 2742
[11]	Haines W G, Bube R H, J.Appl.Phys., 1978,49, 304
[12]	Wu W F, Chyiou B S, Thin Solid Films, 1994, 247, 201
[13]	Latz R, Michael K, Scherer M, Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, L149

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