TFT工艺中的反应性离子刻蚀

1.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

2.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

3.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

4.中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

Reactive Ion Etching in TFT

对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对刻蚀速率的影响.

[1]	清华大学等编译,薄膜科学与技术手册(上册),机械工业出版社, 1991, 628
[2]	陈克绍、曹永伟译,麻莳立男著,薄膜技术,台湾金文图书有限公司印行, 1986, 272

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分