高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

1.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

2.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

3.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

4.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

5.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

6.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

7.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

8.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

9.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

10.吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130021

11.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

基金项目: 中国科学院重大项目(KY951-A1-502) 吉林省科技厅科技攻关项目(970103-01)

Preparation of High Performance a-Si:H TFT Devices

介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.

[1]	李牧菊, 杨柏梁, 朱永福等,液晶与显示,1999,14(2):121
[2]	Martin J.Powell IEEE Transactions on ED, 1989, 36:2753
[3]	陈治明,非晶半导体材料与器件,科学出版社,1991,63
[4]	田民波,薄膜科学与技术手册,上册,机械工业出版社,1991
[5]	Nobuki Ibaraki, Kaichi Fukuda, Hiroko Takata, IEEE Transaction on ED,1989, 36(12):2971

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