激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021

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基金项目: 吉林省科技厅科技攻关项目(970103-01) 中国科学院资助项目(KY95-A1-502)

Study of p-Si Film Obtained at Low Temperatures by Excimer Laser Annealing

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.

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