金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

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基金项目: 中国科学院科技攻关项目(KY951-A1-502) 吉林省科技攻关项目(970103-01) 吉林省杰出青年科学基金

Preparation and Characterization of p-Si Films by Metal Induced Crystallization at Low Temperature

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。

[1]	Radnoczi G, Robertsson A, Hentzell H T G, et al. Al induced crystallization of a-Si [J]. J. Appl. Phys., 1991, 69:6394-6399.
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[3]	Hultman L, Robertsson A, Hentzell H T G, et al. Crystallization of amorphous silicon during thin-film gold reaction [J]. J. Appl. Phys., 1987, 62:3647.
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[6]	Cammarata R C, Thompson C V, Hayzelden C, et al. J. Mater. Res., 1990, 5:2133.
[7]	Soo Young Yoon, Jae Young Oh. Low temperature solid phase crystallization of amorphous silicon at 380℃ [J]. J. Appl. Phys., 1998, 84:6463-6465.
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[9]	Hayzelden C, Bastone J L. Silicide formation and silicide-mediated crystallization of nickel-implanted amorphous silicon thin films [J]. J. Appl. Phys., 1993, 73:8279-8289.

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