MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

液晶与显示 , 2001, 16(1): 1-5. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

陆大成 ^1, , 刘祥林 ^2, , 韩培德 ^3, , 王晓晖 ^4, , 汪度 ^5, , 袁海荣 ^6,

1.中国科学院半导体研究所

2.中国科学院半导体研究所

3.中国科学院半导体研究所

4.中国科学院半导体研究所

5.中国科学院半导体研究所

6.中国科学院半导体研究所

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(863-715-234-04)

关键词： GaN , InGaN , AlGaN , 双异质结 , 量子阱 , 蓝光LED , 绿光LED , MOVPE

InGaN/AlGaN Blue and Green LED Grown by MOVPE

报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

Zn and Si co-doped InGaN/AlGaN double-heterostructure andInGaN/GaN single quantum well structure were grown on Al2O3 substrate by LP-MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450nm and green LEDs with wavelength of 520～540nm were fabricated.

参考文献

[1]	Nakamura S, Mukai T, Enoh M S， et al. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes [J]. Appl. Phys. Lett.， 1994, 64(13):1687-1689.
[2]	Nakamura S, Senoh M, Iwasa N, et al. InGaN-based multi-quantum-well-structure laser diodes [J]. Jap. J. Appl. Phys., 1996, 35 (1):L74-76.
[3]	Lu D C, Duan S K. Quasi-thermodynamic model of MOVPE of InGaN [J]. Chin. J. Semiconduct, 2000, 21(2)： 105-114.
[4]	陆大成, 刘祥林, 韩培德，等. InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管 [J]. 高技术通讯， 2000， 10（113）： 43-45.
[5]	陆大成, 韩培德, 刘祥林，等. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 [J]. 半导体学报， 2000， 21（4）： 414-416.
[6]	王晓晖, 刘祥林, 陆大成，等. InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 [J]. 半导体学报， 2000, 21(7):726-728.

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InGaN/AlGaN Blue and Green LED Grown by MOVPE

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