多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计

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基金项目: 国家自然科学基金(69876040) 吉林省科技攻关项目(970103-01) 中国科学院科技攻关项目(KY951-A1-502)

Optimum Design of Polysilicon Thin Film Transistor Liquid Crystal Displays

针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂浓度及掺杂区宽度等, 研究薄膜晶体管的开关电流比值. 由此确定像素各部分的尺寸, 对液晶显示器件进行优化设计.

[1]	黄锡珉. TFT LCD技术的进步 [J]. 液晶与显示, 1999, 14(2):79-88.
[2]	邵喜斌. 液晶显示技术的最新进展 [J]. 液晶与显示, 2000, 15(3):163-170.
[3]	刘传珍, 杨柏梁, 朱永福, 等. 硅基TFT有源矩阵液晶显示技术 [J]. 液晶与显示, 1999, 14(2):137-143.
[4]	Howard W E. SEMINAR M-5 active-matrix LCDs [J]. Seminar Lecture Notes SID, 1995:M-5/15.

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