多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

1.北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021;长春光学精密机械学院,吉林,长春,130022

2.长春光学精密机械学院,吉林,长春,130022

3.长春光学精密机械学院,吉林,长春,130022

4.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021

5.北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

6.北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

7.北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021

8.长春光学精密机械学院,吉林,长春,130022

基金项目: 国家自然科学基金(69876040) 吉林省科技厅科技攻关项目(970103-01) 吉林省科技发展计划(20010305) 中国科学院资助项目(KY951-A1-502)

Reactive Ion Etching in Poly-crystalline-silicon TFT

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.

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