在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响

1.国家广播电影电视总局,广播科学研究院,光电研究所,北京,102206

2.国家广播电影电视总局,广播科学研究院,光电研究所,北京,102206

3.中国科学院,电子学研究所,北京,100080

4.国家广播电影电视总局,广播科学研究院,光电研究所,北京,102206

5.北京三信时代信息公司,北京,100091

基金项目: 国家自然科学基金(69971011)

Effect of Se Source Temperature on Performances of CdSe Target in VME-FPC

CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用.介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果.

[1]	Lu Yongji,Liu Guangyi,Shao Youjun,et al.A new type of vacuum microelectronics flat panel camera tube[A]. Technical Digest of 9th IVMC[C].Russia, St Petersburg,1996,585-588.
[2]	Lu Yongji,Liu Gangyi,Shao Youjun,et al.A test of improving upon the target to be used in the flat panel camera tube[A]. Abstract of MRS′1998,Spring Meeting[C]. USA, San Francisco,1998,66.
[3]	刘善喜.集成真空微电子器件的研究及展望[J]. 光电子技术,1993,13(2):5-10.

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