欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理二种处理新工艺,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶.使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级,而清晰度(分辨率)保持不变.介绍了CdSe蒸发工艺对靶面特性的影响.

参考文献

[1] Lu Yongji,Liu Guangyi,Shao Youjun, et al. The effect of vacuum heat pre-treatment of properties of CdSe multilayer target used for FPC[A]. Technical Digest of 11th International Vacuum Microelectronics Conference[C]. USA,Asheville, Nc,1998,77-78.
[2] 刘光诒,夏善红,吕永积,等.全玻璃平板型真空荧光光源的工艺探讨[J].液晶与显示2001,16(4):294-299.
[3] 顾广瑞,何志,李英爱,等.氮化硼薄膜的场致发射特性[J].液晶与显示,2002,17(1):44-48.
[4] Lu Yongji, Liu Guangyi,Shao Youjun,et al.A new type of vacuum microelectronics flat panel camera tube[A]. Technical Digest of 9th International Vacuum Microelectronics Conference[C]. Russia,St Petersburg, 1996,585-588.
[5] 吕永积,王群伟,邵佑军,等.平板真空摄像器件[P].中国专利:ZL95241185.7,1997-08-09.
[6] 冯进军,丁清明,张甫权,等.钼尖场致发射阵列阴极的性能研究[J].液晶与显示,2002,17(1):39-43.
[7] 姚振华,朱长纯,程敏,等.碳纳米管高温热稳定性与结构的关系[J].液晶与显示,2002,17(10):49-54.
[8] 吕永积,邵估军,刘光诒,等.在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响[J].液晶与显示,2002,17(3):189-192.
[9] A.S.Esbitt.U.S Patent:3391021,1968-07-02.
[10] Lu Yongji, Liu Guangyi,Shao Youjun,et al.The effect of Se source temperature on performance CdSe target in VME-FPC[A]. Technical Digest of 13th IVMC[C].China,Guangzhou, 1999,270-271.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%