MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长

液晶与显示 , 2004, 19(2): 99-102. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005

MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长

刘博阳 ^1, , 杜国同 ^2, , 杨小天 ^3, , 赵佰军 ^4, , 张源涛 ^5, , 高锦岳 ^6, , 刘大力 ^7, , 杨树人 ^8,

1.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学,物理学院,相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室,吉林,长春,130021

2.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

3.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

4.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

5.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

6.吉林大学,物理学院,相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室,吉林,长春,130021

7.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

8.吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子国家联合重点实验室,吉林,长春,130021

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311130) 国家自然科学基金(60177007,60176026)

关键词：氧化锌 , 金属有机化学气相沉积 , 薄膜 , 生长

Study of ZnO Film Grown by MOCVD

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002) 晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.此衍射峰的半高宽为0.282 °,显示出较好的晶体质量.在室温光致发光谱中, 薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过10∶1,表明薄膜的光学质量较高.

参考文献

[1]	Yu P,Tang Z K, Wong G K L, et al. 23nd Int Conf on the Physics of Semiconductors[C].Singapore:World Scientific, 1996. 1453-1456.
[2]	Cao H, Zhao Y G, Ong H C, et al.Ultraviolet lasing in resonators formed by scattering in semiconductor polycrystalline films[J]. Appl. Phys. Lett. , 1998, 73 (25): 3656-3658.
[3]	Hofstetter Daniel,Thornton Robert,Romano Linda T.Room-temperature pulsed operation of an electrically injected InGaN/GaN multi-quantum well distributed feedback laser[J].Appl.Phys Lett.,1998,73(15):2158-2160.
[4]	郝晓涛,马瑾,马洪磊,等.薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响[J].液晶与显示,2002,17(3):169-174.
[5]	Bagnall D M, Chen Y F, Zhu Z, et al. Optically pumped lasing of ZnO at room temperature[J]. Appl. Phys. Lett., 1997, 70 (17): 2230-2232.
[6]	Xu X L, Lau S P, Chen J S, et al. Polycrystalline ZnO thin films on Si (100) deposited by filtered cathodic vacuum arc[J]. J. Crystal Growth, 2001, 223: 201-205.
[7]	Gorla C R,Enmanetoglu N W, Liang S, et al. Structural, optical, and surface acoustic wave properties of epitaxial ZnO films grown on (012) sapphire by metalorganic chemical vapor deposition[J]. J. Appl. Phys., 1999, 85(5): 2595-2602.
[8]	邱春文, 石旺舟, 黄羽中. PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜的研究 [J]. 液晶与显示,2003,18 (3): 201-204.
[9]	Manasevit H M. The use of metal-organics in the preparation of semiconductor materials [J]. J. Electrochem. Soc., 1969, 116: 1725.
[10]	Park W I,Yi G C, Jang H M. Metalorganic vapor-phase epitaxial growth and photoluminescent properties of Zn1-xMgxO (0≤x≤0.49) thin films[J]. Appl. Phys. Lett., 2001, 79 (13): 2022-2024.
[11]	Bylander E G.Surface effects on the low-energy cathodoluminescence of zinc oxide[J]. J. Appl. Phys., 1978, 49(3):1188-1195.

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