InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

液晶与显示 , 2004, 19(2): 116-119. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

殷景志 ^1, , 杜国同 ^2, , 龙北红 ^3, , 杨树人 ^4, , 许武 ^5, , 宣丽 ^6,

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023

2.吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023

3.吉林大学,材料科学与工程学院,吉林,长春,130023

4.吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

6.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

基金项目: 国家自然科学基金(69896260)

关键词：应变补偿 , 偏振不灵敏 , 半导体光放大器

Research on Fabrication of Polarization Insensitive Semiconductor Optical Amplifier with Strain Compensation Structure in InP Base

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.

参考文献

[1]	Bagley M,Sherlock G, Cooper D M, et al. Broadband operation of InGaAsP-InGaAs GRIN-SC-MQW BH amplifier with 115mW output power[J]. Electron Lett., 1990, 26(8): 512-513.
[2]	Zhang R Y, Dong J, Zhou F,et al. A novel polarization-insensitive semiconductor optical amplifier structure with large 3 dB bandwith [A]. Proceedings of SPIE [C]. 2001,4580:116-123.
[3]	Eisenstein G, Koren U, Raybon G,et al. Large-and small-signal gain characteristics of 1.5μm multiple well optical amplifiers[J]. Appl.Phys.Lett., 1990, 56 (13):1201-1203.
[4]	Zhang Y M, Ruden P P. 1.3μm polarization-insensitive optical amplifier structure based on coupled quantum wells[J].IEEE J.Quantum Electron., 1999, 35(10):1509-1514.

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Research on Fabrication of Polarization Insensitive Semiconductor Optical Amplifier with Strain Compensation Structure in InP Base

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