应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD 外延生长模式

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基金项目: 广东省重大科技专项基金(2003A1030405) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(001CB309302) 国家科技攻关项目(00-068)

Analysis of MOCVD Epitaxy Growth Model by ALE

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.

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