用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

1.吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023;中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

2.吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023

3.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033

4.吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023

5.吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023

6.吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023

基金项目: 吉林省科技厅科研项目(20010301) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314703)

Analysis of Protecting Circuit for OLED Active Matrix Driving Array Based on a-Si TFT

在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式.该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列.

[1]	He Yi, HATTORI Reiji, KANICKI Jerzy. Four-thin film transistor pixel electrode circuits for active-matrix organic light-emitting display[J]. Jpn. J. Appl. Phys., 2001,40 : 1199-1208.
[2]	He Yi, HATTORI Reiji, KANICKI Jerzy. Current-source a-Si : H thin-film transistor circuit for active-matrix organic light-emitting displays[J]. IEE. Elec. Devi. Lett. , 2000,21(12):590-592.
[3]	郭斌,吴春亚,熊绍珍,等.PM-OLED驱动中的分场显示问题研究[J].液晶与显示,2002,17(3):182-186.
[4]	张彤,郭小军,赵毅,等.A-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计[J].液晶与显示,2003,18(5),332-337.
[5]	HATTORI Reiji, TSUCHIYA Ryusuke, MIYAKE Kazunri, et al. Current-writing active-matrix circuit for OLED display using aSi TFT[J]. IEICE Trans. Elcetron., 2000, E83-C779(5):782.
[6]	黄锡珉.有源矩阵OLED[J].液晶与显示,2003,18(3):157-160.
[7]	李文连.有机电致发光显示屏技术[J].液晶与显示,2002,17(4):259-264.
[8]	杨崇志,康博南.半导体集成电路[M].长春:吉林大学出版社,2000.
[9]	曹培栋.微电子技术基础[M].北京:电子工业出版社,2001,248-249.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分