氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用

液晶与显示 , 2004, 19(6): 450-454. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009

氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用

邝俊峰 ^1, , 付国柱 ^2, , 高博 ^3, , 高文涛 ^4, , 黄金英 ^5, , 廖燕平 ^6, , 荆海 ^7,

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

2.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

3.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

4.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

6.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

7.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA303250) 吉林省科技发展计划(20010305)

关键词：多晶硅薄膜 , 氢原子 , 催化化学气相沉积

Effect of Hydrogen Radical on Growth of Polycrystalline Silicon Thin Film by Cat-CVD System

采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.

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