HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

液晶与显示 , 2004, 19(6): 455-457. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

王辉 ^1, , 宋航 ^2, , 金亿鑫 ^3, , 蒋红 ^4, , 缪国庆 ^5, , 李志明 ^6, , 赵海峰 ^7,

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

2.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

3.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

4.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

6.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

7.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

基金项目: 国家自然科学基金(60177014) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314701)

关键词：光致发光 , 碳化硅 , HFCVD

SiC Films Grown by HFCVD Method and Its Photoluminescence at Room Temperature

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.

参考文献

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