利用平板电容器和电磁场理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合适的电学物理模型,并对其内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的具体表达式;为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为;最终理论计算和软件模拟印证了所建物理模型在误差允许的范围内是完全正确的.
参考文献
| [1] | 杨小慧.平板显示的最新进展[J].光电子技术,2004,24(1):73-77. |
| [2] | 刘达,龚建荣.新世纪的主流显示技术--平板显示(FPD)技术[J].现代电视技术,2003,10(4):70-72. |
| [3] | 邵作叶,郑喜凤,陈宇.平板显示器中的OLED[J].液晶与显示,2005,20(2):52-56. |
| [4] | 应根裕.平板显示技术[M].北京:人民邮电出版社,2002:430-439. |
| [5] | 杰瑞.SED显示原理[J].电器评介,2004,(12):10-11. |
| [6] | 费民权.论彩色显像管未来的发展方向[J].液晶与显示,2004,19(5):396-401; |
| [7] | Oguchi T,Yamaguchi E,Sasaki K,et al.A 36-inch surface-conduction electron-emitter display (SED)[C]//SID Intl.Symp.Digest Tech.Papers,2005:1929-1931. |
| [8] | Lauren E Shea.Low-voltage cathodoluminescent phosphors[C]//The Electrochemical Society Interface,1998:24-27. |
| [9] | Yamamoto K,Nomura I,Yamazaki K,et al.Fabrication and characterization of surface conduction electron emitters[C]// SID Intl.Symp.Digest Tech.Papers,2005:1933-1935. |
| [10] | Yamaguchi E,Sakai K,Nomura I,et al.A 10-in.surface-conduction electron-emitter display[C]//SID Intl.Symp.Digest Tech.Papers,1997:52-55. |
| [11] | Asai A,Okuda M,Matsutani S,et al.Multiple-scattering model of surface-conduction electron emitters[C]//SID Intl.Symp.Digest Tech.Papers,1997:127-130. |
| [12] | Okuda M,Matsutani S,Asai A,et al.Electron trajectory analysis of surface conduction electron emitter displays (SEDs)[C]// SID Intl.Symp.Digest Tech.Papers,1998:1-4. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%