为进一步研究工业中对聚酰亚胺取向膜基板进行摩擦取向处理时,在取向膜上产生静电残留,影响液晶分子取向的均匀性的问题,文章利用Dimension 3100型扫描探针显微镜(SPM)在聚酰亚胺表面摩擦产生了微纳米尺度的电荷,并对表面电荷的生成规律进行了研究.当SPM的导电探针在聚酰亚胺表面进行加工或摩擦操作时,会在探针与薄膜接触区域产生电荷,生成的电荷可以用静电力显微镜(EFM)进行观察.讨论了生成电荷的极性、数量、区域大小与摩擦过程中探针加工速度,所加电压大小、正负之间的关系,为在微观尺度探索聚酰亚胺表面电荷生成规律及生成机理提供了一种新的途径.
参考文献
| [1] | 吴利平,朱军,石可瑜,等.新型光取向液晶聚合物的制备及其性能表征[J].高等学校化学学报,2005,26(9):1768-1770. |
| [2] | 魏怀鹏,李艳龙,叶文江,等.聚酰亚胺静电损伤和取向作用失效的系统观测[J].液晶与显示,2006,22(4):320-323. |
| [3] | 河野诚.摩擦工序中液晶分子取向不良的主要原因分析和控制对策[J].现代显示,2005,58(12):52-55. |
| [4] | Stern J E,Terris B D,Mamin H J,et al.Deposition and imaging of localized charge on insulator surfaces using a force microscope[J].Appl.Phys.Lett.,1988,53(26):2717-2719. |
| [5] | Terirs B D,Stern J E,Rugar D,et al.Contact electrification using force microscopy[J].Phys.Rev.Lett.,1989,63(24):2669-2672. |
| [6] | Terris B D,Stern J E,Rugar D,et al.Localized charge force microscopy[J].J.Vac.Sci.Technol.A,1990,A8(1):374-377. |
| [7] | Bohm C,Saurenbach F,Taschner P,et al.Voltage contrast in integrated circuits with 100nm spatial resolution by scanning force microscopy[J].J.Phys.D,1993,26(10):1801-1805. |
| [8] | Seo D S,Kobayashi S.Study of the pretilt angle for 5CB on rubbed polymide films containing trifluoromethyl moiety and analysis of the surface atomic concentration of F/C(%)with an electron spectroscope for chemical analysis[J].Appl.Phys.Lett.,1992,61(20):2392-2394. |
| [9] | Seo D S,Kobayashi S.Effect of high pretilt angle for anchoring strength in nematic liquid crystal on rubbed polyimide surface containing trifluoromethyl moieties[J].Appl.Phys.Lett.,1995,66(10):1202-1204 |
| [10] | Martin Y,Abraham D W,Wickramasinghe H K.High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy[J].Appl.Phys.Lett.,1988,52(13):1103-1105. |
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