为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT 宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则.模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESD W/L设计为38.9/7.4 μm ,在分辨率为H1200时ESD W/L设计为35.0/7.4 μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESD W/L设计为14.7/7.4 μm,在分辨率为V1920时ESD W/L设计为12.2/7.4 μm,满足模拟条件.同时,按照此结果,可以得出ESD TFT器件在信号电压±25 V变动时,电流值大于±9.5 μA;而TFT LCD实际工作电压(＜±10 V)远小于模拟工作电压(＜±25 V),实际工作电流值为3～5 μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行.
参考文献
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