a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

1.北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016

2.北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044

3.吉林大学术计算机科学与技木学院,吉林,长春,130012

4.吉林大学术计算机科学与技木学院,吉林,长春,130012

5.京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016

6.京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016

7.北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044

基金项目: 国家自然科学基金(10644002)

Influence of Storage Capacitance on Character of a-Si'H TFT OLED Driving Circuit

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.

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