制备了以AND为主体的蓝光器件,发现AND厚度对器件发光特性有一定影响.当AND/Alq3厚度比为4∶3且厚度为40 nm时,所制器件启亮电压低,发光特性好.另外,掺杂TBP后,改变了器件的能级结构,可有效输入电子而阻挡空穴输出,提高激子在AND中的复合.TBP掺杂比例存在一最佳值,实验发现,当掺杂比例为2%时,器件有最佳发光特性和色纯度.
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