着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.
参考文献
| [1] | Xiaojian Chen;Xuejun Chen;Yuanfei Cen.MMIC modeling technique and its application[A].Beijing,2000 |
| [2] | Xuanang Zhu;Xiaojian Chen;Jinting Lin .2～ 6 GHz MMIC Power Amplifier[Z]. |
| [3] | Xuejun Chen;Xiaojian Chen;Jinting Lin .A 2～ 26 GHz MMIC Power Amplifier with Low Noise Figure[Z]. |
| [4] | Junxian Wang;Yuanfei Cen;Xiaojian Chen.S- Band PHEMT Monolithic Frequency Variable Receiver Front- End[A].,1998 |
| [5] | Yongsheng Dai;Xiaojian Chen;Tangsheng Chen.A Novel Multi- Octave Five- Bit MMIC Phase Shifter[A].Beijing,2000 |
| [6] | 戴永胜;陈堂胜;陈效建.一种新颖的多功能低相移DC-50GHz高性能单片压控可变衰减器[A].厦门,2000 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%