单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 161-164. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

刘训春 ^1, , 陈俊 ^2, , 王润梅 ^3, , 王惟林 ^4, , 李无瑕 ^5, , 李爱珍 ^6, , 陈建新 ^7, , 陈意桥 ^8, , 陈晓杰 ^9, , 杨全魁 ^10,

1.中国科学院微电子中心,北京100010

2.中国科学院微电子中心,北京100010

3.中国科学院微电子中心,北京100010

4.中国科学院微电子中心,北京100010

5.中国科学院微电子中心,北京100010

6.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

7.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

8.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

9.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

10.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

基金项目: 中国科学院重大项目(KJ951-B1-706-05) 国家科技攻关项目(97-706)

关键词：单电源 , InGaP/InGaAs , LNA

InGaP/InGaAs PHEMT LNA with low voltage single power supply

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.

参考文献

[1]	Mclaughlin S.Int Conf On GaAs Manufac Technol[C].,1999:113-116.
[2]	Danzilio D;Allen Hanson.Int Conf On GaAs Manufac Technol[C].,1999:143-146.
[3]	刘训春.第十一届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集[C].,1999:778.
[4]	Takikawa M.;Joshin K. .Pseudomorphic n-InGaP/InGaAs/GaAs high electron mobility transistors for low-noise amplifiers[J].IEEE Electron Device Letters,1993(8):406-408.
[5]	Fay P;Stevens K.Int Conf On GaAs Manufac Technol[C].,1999:147-150.
[6]	Yoon S F .[J].Solid-State Electronics,2000,44(06):1305-1311.

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InGaP/InGaAs PHEMT LNA with low voltage single power supply

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