SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

2.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

3.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

Si3N4 passivation thickness effect on AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT performance

深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.

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