AlGaN/GaNHEMT器件研究

1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄市050051

2.北京工业大学固态电子学研究所,北京市100022

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关键词： GaN , HEMT

Study on AlGaN/GaN HEMT devices

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.

[1]	Sheppard S T et al.[J].IEEE Electron Device Letters,1999,20(04):161-163.
[2]	Zhifang Fan et al.[J].Electronics Letters,1997,33(09):314-315.
[3]	Daumiller I et al.[J].IEEE Electron Device Letters,1999,20(09):448-450.

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