GaAs的ICP选择刻蚀研究

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 174-177. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011

GaAs的ICP选择刻蚀研究

王惟林 ^1, , 刘训春 ^2, , 魏珂 ^3, , 郭晓旭 ^4, , 王润梅 ^5,

1.中科院微电子中心,北京100010

2.中科院微电子中心,北京100010

3.中科院微电子中心,北京100010

4.中科院微电子中心,北京100010

5.中科院微电子中心,北京100010

关键词： GaAs/AlGaAs , ICP , 选择刻蚀

Selective etching of GaAs/AlGaAs by ICP

选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.

参考文献

[1]	Lin B J F.IEEE GaAs IC Symposium[C].,1996
[2]	MURD S K .[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1993,44:237.
[3]	王惟林;李无瑕;刘训春 .[J].稀有金属,1999,23(zk)
[4]	Cameron N I et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1991,19(06):3538.
[5]	Alan Mills .[J].III-Vs review,2000,13(01):35.

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Selective etching of GaAs/AlGaAs by ICP

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