0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

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9.信息产业部电子13所,石家庄050051

10.信息产业部电子13所,石家庄050051

Application of 0.1～ 0.3μ m X- ray lithography in GaAs PHEMT device

对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.

[1]	New progress in X- ray Lithography[R].BSRF ACTIVITY REPORT,1992.
[2]	陈梦真.同步辐射Ｘ射线光刻研究进展[C].第一次两岸同步辐射学术研讨会论文集,1993:374～378页.
[3]	Xunchun Liu.Metal side- wall pattern with a supporter for X- ray mask[A].
[4]	叶甜春.纳米尺寸同步辐射X射线光刻技术研究[A].,1997
[5]	叶甜春.X射线光刻技术研究[A].,1999
[6]	Chen Jun et al.[J].Chinese Semiconductor Journal,1999,20(09)

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