通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm).
参考文献
| [1] | Mimura T .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1980,19(05):L225-L227. |
| [2] | Delagebeaudenf D .[J].Electronics Letters,1980,16(17):667-668. |
| [3] | Tiberio R C;Limber J M;Galvin G J .[J].SPIE,1989,1089:124. |
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