用MEMS技术在硅基片上制作了微波集成滤波器,并提出一种三维电容,该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构.该电容面积只有平面电容的1/3.电感采用MEMS的背面腐蚀技术,去掉硅衬底,减少了衬底损耗,解决硅衬底电阻率不高的缺点.导体采用MEMS的准LIGA厚胶光刻和电铸工艺,使金属膜的厚度大大增加,减少导体损耗,从而提高电感的Q值.
参考文献
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