LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 232-235. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

李忠辉 ^1, , 王向武 ^2, , 张宝顺 ^3, , 杨进华 ^4, , 张兴德 ^5,

1.长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

2.信息产业部电子第五十五所新材料中心,南京,210016

3.长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

4.长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

5.长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

关键词：分别限制结构 , 单量子阱 , 激光器

High power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers grown by LP- MOCVD

设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.

参考文献

[1]	张兴德;李学千.[J].光学精密机械,1993(02):1.
[2]	Diaz J.;Eliashevich I. .InGaP/InGaAsP/GaAs 0.808 /spl mu/m separate confinement laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition[J].IEEE Photonics Technology Letters,1994(2):132-134.
[3]	Razeghi M;Diaz J;Eliashevich I.Proceeding of IEEE/LEOS conference[C].San Jose,CA,1993:15.
[4]	Plano W.E.;Major J.S. Jr. .High power 875 nm Al-free laser diodes[J].IEEE Photonics Technology Letters,1994(4):465-467.
[5]	Garbuzov D Z;Antonishkis N Yu;Bondarev A D .[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1991,QE-27:1531.
[6]	Olson J M;Ahrenkiel R K .[J].,1989,55(12):1208.
[7]	Masahiko Asada;Atsushi Kameyama;Yasuharu Suematsu .[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1984,QE-20:745.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

High power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers grown by LP- MOCVD

参考文献